温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
C3M0900170M-HXY
C3M0900170M-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这是一款N沟道增强型功率MOSFET，具有1700V的高漏源击穿电压（VDSS），支持5A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为800mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为±22V，具备较强的驱动适应性与栅极可靠性。该器件适用于高电压开关电源、高压直流变换、逆变电路及功率调节装置，可在高电磁干扰环境下稳定工作，适用于对耐压能力与导通性能有要求的功率转换应用，满足多种高压场景下的电能控制需求。
- 商品型号
- C3M0900170M-HXY
- 商品编号
- C49507535
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 10.85克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 215pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω |