C3M0900170M-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式

描述

这是一款N沟道增强型功率MOSFET，具有1700V的高漏源击穿电压（VDSS），支持5A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为800mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为±22V，具备较强的驱动适应性与栅极可靠性。该器件适用于高电压开关电源、高压直流变换、逆变电路及功率调节装置，可在高电磁干扰环境下稳定工作，适用于对耐压能力与导通性能有要求的功率转换应用，满足多种高压场景下的电能控制需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

C3M0900170M-HXY

商品编号

C49507535

商品封装

TO-3PF​

包装方式

管装

商品毛重

10.85克(g)