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WNSC2M1K0170JQ-HXY
WNSC2M1K0170JQ-HXY
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- 描述
- 这是一款N沟道增强型高压场效应管，具备1700V的漏源击穿电压（VDSS），可承载5A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为800mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为±22V，具备良好的驱动兼容性与栅极保护能力。器件适用于高耐压需求的开关电源、直流变换器、高压逆变电路及功率控制模块，在需要高电压隔离与效率平衡的应用中表现出色，适用于复杂电磁环境下的稳定功率切换与能量管理场景。
- 商品型号
- WNSC2M1K0170JQ-HXY
- 商品编号
- C49507534
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 10.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 215pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω |