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MDDG10R04B
100V N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管
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- 描述
- 100V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDDG10R04B
- 商品编号
- C49382863
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 135A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.21nF |
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