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MDD3407A
30V P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 30V P通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD3407A
- 商品编号
- C49383127
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V；50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品特性
- 先进沟槽技术
- 出色的导通电阻(Rds(on))和低栅极电荷性能
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- 开关电路
- 高速线路驱动器
- 电源管理功能