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MDD2303
P沟道 30V 3A
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- 描述
- 30V P通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD2303
- 商品编号
- C49383130
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 103mΩ@4.5V；72mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 226pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
商品概述
MDD2303采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 在VGS = -10V时具有低RDS(on)
- 5V逻辑电平控制
- P沟道SOT23封装
- 无铅,符合RoHS标准
应用领域
-负载开关-开关电路-高速线路驱动器-电源管理功能