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MDD4N60F
600V 4A
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- 描述
- 600V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD4N60F
- 商品编号
- C49382974
- 商品封装
- TO-220F-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻(RDS(on))
- 低栅极电荷
- 100% 进行了非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 功率因数校正
- 开关模式电源
- LED 驱动器
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