温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MDD4438
60V N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 60V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD4438
- 商品编号
- C49383114
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V；18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET基于独特的器件设计，可实现低导通电阻RDS(ON)和快速开关性能。低阈值电压(Vth)系列专为驱动电压较低的同步整流电源系统设计。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)
- 极低的开关损耗
- 出色的可靠性和一致性
- 快速开关和软恢复
应用领域
- 电池保护
- 电源管理
- 开关模式电源