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MDD02P60A
P沟道 60V 2A
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- 描述
- 60V P通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD02P60A
- 商品编号
- C49383125
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 27pF |
商品概述
这款60V P沟道MOSFET基于独特的器件设计,实现了低RDS(ON)、快速开关和出色的雪崩特性。
商品特性
- 采用高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 卓越的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
-便携式设备的负载开关-电池供电系统-DC-DC转换器-LCD显示器逆变器-便携式设备