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MDD4N60D
N沟道 600V 4A
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- 描述
- 600V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD4N60D
- 商品编号
- C49382866
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.75Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 61pF |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善的dv/dt能力,高耐用性
应用领域
- 高效开关模式电源
- 基于半桥的电子灯镇流器
- LED电源