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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CJAC20N10

1个N沟道 耐压:100V 电流:20A

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商品型号
CJAC20N10
商品编号
C504087
商品封装
PDFNWB-8L-EP(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.3V
栅极电荷量(Qg)39nC@10V
输入电容(Ciss)2nF@25V
反向传输电容(Crss)250pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款先进的高压MOSFET专为在雪崩模式下承受高能量并实现高效开关而设计。这款新型高能量器件还具备漏源二极管快速恢复时间。 专为高压、高速开关应用而设计,如电源、转换器、动力电机控制和桥式电路。

商品特性

  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻RDS(on)
  • 具备完整特性的雪崩电压和电流
  • 高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
  • 采用特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力
  • 采用优秀封装,散热性能良好

应用领域

  • 硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF