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CJ4459
1个P沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- CJ4459将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJ4459
- 商品编号
- C504056
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 625pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CJ4459将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的 RDS(on)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。