温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PSMN3R7-100BSEJ
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN3R7-100BSEJ
- 商品编号
- C503653
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.678克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.95mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 405W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.66V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 246nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16.37nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 494pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用D2PAK封装、符合175°C标准的标准电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。PSMN3R7-100BSE具有极低的导通电阻RDSon和出色的线性模式（SOA）性能。 PSMN3R7-100BSE与最新的“热插拔”控制器相得益彰——坚固耐用，可承受开启期间的大量浪涌电流；低导通电阻RDSon可将I²R损耗降至最低，并在完全导通时实现最佳效率。
商品特性
~~- 针对卓越线性模式操作全面优化安全工作区(SOA)-低导通电阻RDSon,降低I²R传导损耗
应用领域
- 热插拔-负载开关-软启动-电子保险丝-基于48V背板/电源轨的电信系统
相似推荐
其他推荐
- PSMN010-80YLX
- PSMN011-80YS,115
- PSMN6R9-100YSFX
- PSMN013-30MLC,115
- PSMN013-100PS,127
- PSMN011-60MLX
- PSMN034-100PS,127
- PSMN6R5-80PS,127
- PSMN013-60YLX
- PSMN7R0-30MLC,115
- PSMN013-100BS,118
- PSMN3R8-100BS,118
- PSMN7R6-100BSEJ
- PSMN013-100YSEX
- PSMN015-60BS,118
- PSMN013-30YLC,115
- PSMN026-80YS,115
- PSMN2R4-30MLDX
- PSMN4R5-30YLC,115
- PSMN102-200Y,115
- PSMN021-100YLX