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PSMN011-80YS,115

PSMN011-80YS,115

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品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMN011-80YS,115
商品编号
C503655
商品封装
LFPAK-56-5​
包装方式
编带
商品毛重
0.127克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)67A
导通电阻(RDS(on))8.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)117W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)45nC
属性参数值
输入电容(Ciss)2.8nF
反向传输电容(Crss)146pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)270pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

采用LFPAK封装的标准电平N沟道MOSFET,工作温度可达175°C。本产品经设计和认证,适用于广泛的工业、通信和家用设备。

商品特性

  • 先进的TrenchMOS技术,实现低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷
  • 提高开关电源转换器的效率
  • 改善机械和热性能
  • LFPAK封装在Power SO8封装中实现最大功率密度

应用领域

-直流-直流转换器-锂离子电池保护-负载开关-电机控制-服务器电源

数据手册PDF