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PSMN7R0-30MLC,115

PSMN7R0-30MLC,115

品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMN7R0-30MLC,115
商品编号
C503663
商品封装
LFPAK-33-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.061克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)67A
导通电阻(RDS(on))6.05mΩ@10V
耗散功率(Pd)57W
阈值电压(Vgs(th))1.75V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.2nC
输入电容(Ciss)1.076nF
反向传输电容(Crss)88pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)248pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

采用LFPAK33封装的逻辑电平增强型N沟道MOSFET。本产品经设计和认证,可用于各种工业、通信和家用设备。

商品特性

-低寄生电感和电阻-超低的QG、QGD和QOSS,可在高低负载下实现高系统效率-采用NextPower超结技术,针对4.5V栅极驱动进行优化

应用领域

-直流-直流转换器-同步降压稳压器-负载开关

数据手册PDF