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PSMN102-200Y,115
1个N沟道 耐压:200V 电流:21.5A
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN102-200Y,115
- 商品编号
- C503674
- 商品封装
- LFPAK-56-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 102mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的SiliconMAX标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。
商品特性
- 低热阻,工作功率更高
- 开关特性快速,适用于高频应用
应用领域
-D类放大器-运动控制-直流-直流转换器-开关模式电源
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