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PSMN6R9-100YSFX实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PSMN6R9-100YSFX

1个N沟道 耐压:100V 电流:90A

品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMN6R9-100YSFX
商品编号
C503656
商品封装
LFPAK-56-5​
包装方式
编带
商品毛重
0.123克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V,25A
耗散功率(Pd)238W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)50.3nC@10V
输入电容(Ciss)3.57nF@50V
反向传输电容(Crss)19pF@50V
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

NextPower 100 V 标准电平栅极驱动 MOSFET。符合 175 °C 标准,推荐用于工业和消费类应用。

商品特性

  • 低反向恢复电荷 (Qrr),实现更高效率和更低尖峰
  • 符合 175 °C 标准
  • 低栅极电荷 (QG) × 导通电阻 (RDSon) 品质因数 (FOM),适用于高效开关应用
  • 强雪崩能量额定值 (Eas)
  • 雪崩额定且 100% 测试
  • 无卤且符合 RoHS 标准的 LFPAK56 封装
  • 可波峰焊的 LFPAK56 封装

应用领域

  • 交直流 (AC-DC) 和直流-直流 (DC-DC) 同步整流器
  • 无刷直流 (BLDC) 电机控制
  • USB 功率传输 (USB-PD) 和移动快速充电适配器
  • LED 照明
  • 全桥和半桥应用
  • 反激式和谐振拓扑

数据手册PDF