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W25Q64ESDR-TD实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

W25Q64ESDR-TD

W25Q64ESDR-TD

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描述
总容量为 64Mbit,换算后为 8MByte。
商品型号
W25Q64ESDR-TD
商品编号
C49211303
商品封装
WSON-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.201195克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量64Mbit
属性参数值
工作电压2.7V~3.6V
擦写寿命100000次
功能特性硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位

商品概述

W25Q64ESDR-TD 是一款 64M 位串行闪存,为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。该器件支持标准串行外设接口、双线 SPI 和四线 SPI,指令集与普通串行闪存设备兼容。支持时钟频率高达 120MHz 的快速读取操作,支持就地执行操作以实现直接从闪存执行代码。该器件采用 2.7~3.6V 单电源供电,功耗低,提供商用和工业级温度范围。提供灵活的 4KB 扇区擦除和 32KB/64KB 块擦除架构,具有 100K 次编程/擦除周期耐久性和 20 年数据保持能力。包含三个 1024 字节的安全寄存器,具有一次性可编程锁,用于设备识别。提供软件和硬件写保护功能,包括通过状态寄存器控制的部分内存保护、顶部/底部配置选择以及通过写保护引脚实现的使能/禁用保护。

商品特性

  • 串行外设接口:支持标准 SPI、双线 SPI 和四线 SPI。
  • 读取:支持最高 120MHz 时钟频率的快速读取;双线 I/O 数据传输速率高达 240Mbps;四线 I/O 数据传输速率高达 480Mbps;支持就地执行操作,可实现 8/16/32/64 字节回绕的连续读取。
  • 编程:支持串行输入页编程,最大 256 字节。
  • 擦除:支持块擦除、扇区擦除和芯片擦除;支持擦除挂起和恢复。
  • 编程/擦除速度:典型页编程时间为 0.6ms;典型扇区擦除时间为 35ms;典型块擦除时间为 0.15/0.25s;典型芯片擦除时间为 25s。
  • 灵活架构:4KB 扇区;32KB/64KB 块。
  • 低功耗:最大工作电流 12mA;最大掉电电流 0.7uA。
  • 软件/硬件写保护:3 个 1024 字节安全寄存器,带一次性可编程锁;可发现参数寄存器;通过写保护引脚使能/禁用保护;通过软件写保护全部或部分存储器;支持顶部/底部、扇区或块选择。
  • 单电源电压:完整电压范围 2.7~3.6V。
  • 温度范围:商用和工业级温度范围均为 -40℃~+85℃。
  • 循环耐久性/数据保持:典型 100K 次编程-擦除循环;典型 20 年数据保持。

数据手册PDF