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W25Q32DR-TD
32Mbit SPI NOR闪存
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- 描述
- 通信模式：支持标准 SPI 接口，也支持双输出 / 四输出的 SPI 模式。在双输出 SPI 模式下，数据传输速度可达 266Mbit/s；四输出 SPI 模式下，数据传输速度可达 532Mbit/s
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- W25Q32DR-TD
- 商品编号
- C49211309
- 商品封装
- SOP-8-208mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 32Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 120MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 0.7uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 600us | |
| 块擦除时间(tBE) | 150ms@(32KB)；250ms@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
商品概述
W25Q32DR-TD 是一款采用串行外设接口的闪存器件，支持标准、双通道和四通道 SPI 模式。它提供灵活的读取操作，包括常规读取、快速读取、双通道和四通道输入/输出数据传输，并支持就地执行功能。该器件支持页编程、块擦除、扇区擦除和芯片擦除操作，具有快速的编程和擦除速度。其架构灵活，包含 4KB 扇区和 32/64KB 块。功耗低，具有软件和硬件写保护功能，包括可发现的参数寄存器和安全寄存器。工作电压范围为 2.7~3.6V，提供商业级和工业级温度范围。典型耐久性为每个扇区 10 万次编程-擦除循环，数据保持时间典型值为 20 年。
商品特性
- 串行外设接口：支持标准 SPI、双通道 SPI 和四通道 SPI。
- 读取：常规读取时钟速率 100MHz；快速读取时钟速率 120MHz；双通道输入/输出数据传输速率高达 240Mbps；四通道输入/输出数据传输速率高达 480Mbps；支持就地执行操作。
- 编程：串行输入页编程，最多 256 字节。
- 擦除：支持块擦除、扇区擦除和芯片擦除；支持擦除挂起和恢复。
- 编程/擦除速度：页编程时间典型值 0.6ms；扇区擦除时间典型值 35ms；块擦除时间典型值 0.15/0.25s；芯片擦除时间典型值 12.5s。
- 灵活架构：包含 4KB 扇区和 32/64KB 块。
- 低功耗：最大工作电流 12mA；最大掉电电流 0.7μA。
- 软件/硬件写保护：3个 1024 字节安全寄存器，带一次性可编程锁；可发现的参数寄存器；可通过写保护引脚启用/禁用保护；可通过软件写保护全部或部分存储器；支持顶部或底部、扇区或块选择。
- 单电源电压：完整电压范围 2.7~3.6V。
- 温度范围：商业级 -40℃ 到 +85℃；工业级 -40℃ 到 +85℃。
- 耐久性/数据保持：典型编程-擦除循环 10 万次；典型数据保持时间 20 年。