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W25Q64DR-TD
64Mbit SPI NOR闪存
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- 描述
- 总容量为 64Mbit，换算后为 8MByte。
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- W25Q64DR-TD
- 商品编号
- C49211310
- 商品封装
- SOP-8-208mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 64Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 120MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 0.7uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 600us | |
| 块擦除时间(tBE) | 250ms@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
商品特性
- 串行外设接口
- 标准SPI：SCLK、/CS、SI、SO、/WP、/HOLD
- 双SPI：SCLK、/CS、IO0、IO1、/WP、/HOLD
- 四线SPI：SCLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3
- 读取
- 普通读取（串行）：100MHz时钟速率
- 快速读取（串行）：带30pF负载时120MHz时钟速率
- 双输入/输出数据传输速率高达240兆比特/秒
- 四输入/输出数据传输速率高达480兆比特/秒
- 支持就地执行操作：具有8/16/32/64字节回绕的连续读取
- 编程
- 串行输入页编程，最多256字节
- 擦除
- 块擦除（64/32 KB）
- 扇区擦除（4 KB）
- 芯片擦除
- 擦除挂起和恢复
- 编程/擦除速度
- 页编程时间：典型值0.6ms
- 扇区擦除时间：典型值35ms
- 块擦除时间：典型值0.15/0.25s
- 芯片擦除时间：典型值25s
- 灵活架构
- 4K字节扇区
- 32/64K字节块
- 低功耗
- 最大工作电流12mA
- 最大掉电电流0.7μA
- 软件/硬件写保护
- 3个1024字节安全寄存器，带一次性可编程锁
- 可发现参数寄存器
- 通过写保护引脚启用/禁用保护
- 通过软件写保护全部或部分存储器
- 顶部或底部、扇区或块选择
- 单电源电压
- 完整电压范围：2.7~3.6V
- 温度范围
- 商业级：-40℃ 到 +85℃
- 工业级：-40℃ 到 +85℃
- 循环耐久性/数据保持
- 任何扇区典型10万次编程-擦除循环
- 典型20年数据保持