W25Q32ESDR-TD
W25Q32ESDR-TD
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- 描述
- 通信模式：支持标准 SPI 接口，也支持双输出 / 四输出的 SPI 模式。在双输出 SPI 模式下，数据传输速度可达 266Mbit/s；四输出 SPI 模式下，数据传输速度可达 532Mbit/s
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- W25Q32ESDR-TD
- 商品编号
- C49211304
- 商品封装
- WSON-8(6x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.238388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 32Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
商品概述
W25Q32ESDR-TD 是一款采用串行外设接口 (SPI) 的 32M 位串行闪存，为空间、引脚和功耗受限的系统提供存储解决方案。该器件支持标准 SPI、双路 SPI 和四路 SPI 操作，通过 IO0、IO1、IO2 和 IO3 引脚实现数据传输。其灵活的架构包含可擦除的 4K 字节扇区和 32K/64K 字节块。器件支持页编程、扇区擦除、块擦除和整片擦除操作，并具备擦除/编程暂停和恢复功能。其特性包括软件和硬件写保护、三个带一次性可编程锁的 1024 字节安全寄存器、可发现参数寄存器以及顶部/底部、扇区/块选择保护方案。器件采用单电源供电，工作电压范围为 2.7V ~ 3.6V，提供商业级和工业级温度范围。典型功耗下，最大工作电流为 12mA，最大掉电电流为 0.7μA。典型擦写次数为 10 万次，数据保持期典型值为 20 年。
商品特性
- 串行外设接口：支持标准 SPI (SCLK, /CS, SI, SO, /WP, /HOLD)、双路 SPI (SCLK, /CS, IO0, IO1, /WP, /HOLD) 和四路 SPI (SCLK, /CS, IO0, IO1, IO2, IO3)
- 读取：支持常规读取 (串行) 时钟速率 100MHz；快速读取 (串行) 时钟速率 120MHz (负载 30PF)；双路 I/O 数据传输速率高达 240Mbits/S；四路 I/O 数据传输速率高达 480Mbits/S；支持就地执行操作：支持 8/16/32/64 字节回绕的连续读取
- 编程：支持串行输入页编程，最大 256 字节
- 擦除：支持块擦除 (64/32 KB)、扇区擦除 (4 KB)、整片擦除、擦除暂停和恢复
- 编程/擦除速度：页编程时间典型值 0.6ms；扇区擦除时间典型值 35ms；块擦除时间典型值 0.15/0.25s；整片擦除时间典型值 12.5s
- 灵活架构：包含 4K 字节扇区和 32K/64K 字节块
- 低功耗：最大工作电流 12mA；最大掉电电流 0.7μA
- 软件/硬件写保护：3 个 1024 字节安全寄存器，带一次性可编程锁；可发现参数寄存器；通过 WP 引脚启用/禁用保护；通过软件写保护全部/部分存储器；支持顶部或底部、扇区或块选择
- 单电源电压：完整电压范围 2.7V ~ 3.6V
- 温度范围：商业级 -40°C 至 +85°C；工业级 -40°C 至 +85°C
- 擦写耐久性/数据保持：任何扇区典型擦写次数 10 万次；典型数据保持期 20 年