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W25Q128DR-TD
128Mbit SPI NOR 闪存
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- 描述
- 性能特点：擦写次数高达 10 万次，数据可保存 20 年。支持高达 104MHz 的串行时钟，在双输出 SPI 模式下，等效时钟频率可达 208MHz，四输出 SPI 模式下，等效时钟频率可达 416MHz。连续读模式下，使用最少 8 个时钟的指令开销来读取 24 位地址，允许真正的 XIP（就地执行）操作，能有效提高代码执行效率。
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- W25Q128DR-TD
- 商品编号
- C49211308
- 商品封装
- SOP-8-208mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 128Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 120MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 2uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 700us | |
| 块擦除时间(tBE) | 400ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
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