温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRLR024NTRPBF-JSM
60V N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：42W JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：37mΩ@10A,10V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRLR024NTRPBF-JSM
- 商品编号
- C49206909
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.477767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
这款 N 沟道 MOSFET 采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS)=60V,漏极电流(ID)=20A,当栅源电压(VGS)=10V 时,导通电阻(RDS(ON))<36mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能出色
应用领域
- 功率开关应用-不间断电源-DC-DC 转换器-电机驱动器