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IRF540ZPBF-JSM
100V N沟道MOSFET
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：110W JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10A,10V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRF540ZPBF-JSM
- 商品编号
- C49206912
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.714克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.331nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 276pF |
商品特性
- 最大漏源电压VDS(max) = -20 V
- 最大漏极电流ID(max) = -2.5 A
- 当栅源电压VGS = -4.5 V时，导通电阻RDS(ON) = 80 mΩ（典型值）
- 当栅源电压VGS = -2.5 V时，导通电阻RDS(ON) = 110 mΩ（典型值）
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 电源管理
- 负载开关