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JSM022N04QG5
40V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- N沟道高性能低结电容，40V 150A 1.5mΩ@10V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM022N04QG5
- 商品编号
- C49206922
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1841克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 205A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V；2.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 157W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 输出电容(Coss) | 1.6nF |
商品概述
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 高密度单元设计,实现低导通电阻 RDS(ON)
- 防潮等级 1 级
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 无卤
商品特性
- 漏源电压 VDS 40V
- 漏极电流 ID 150A
- 导通电阻 RDS(ON)(栅源电压 VGS = 10V 时)<1.5mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)(栅源电压 VGS = 4.5V 时)<2.2mΩ
- 100% 进行了抗雪崩能力测试
- 100% 进行了漏源电压变化测试
应用领域
-功率开关应用-不间断电源-DC-DC 转换器