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SE5VUBN062
瞬态电压抑制器
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- 描述
- 特性：60瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型DFN0603封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：串行ATA。 PCI Express
- 品牌名称
- SSGSEMI(世晶半导体)
- 商品型号
- SE5VUBN062
- 商品编号
- C49206798
- 商品封装
- DFN0603-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.008287克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 18V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4A@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压(VBR) | 8.5V | |
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| Cj-结电容 | 0.3pF |
商品特性
- 60瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20 μs）
- 微型DFN0603封装
- 双向配置
- 固态硅雪崩技术
- 低钳位电压
- 低漏电流
- 低电容（Cj=0.3 pF 典型值）
- 单条数据/电源线保护
- IEC 61000-4-2 ±20kV接触放电 ±20kV空气放电
- IEC 61000-4-4（EFT）40 A（5/50 ns）
- IEC 61000-4-5（雷击）4 A（8/20 μs）
应用领域
- 串行ATA
- PCI Express
- 台式机、服务器和笔记本电脑
- MDDI端口
- USB端口
- DisplayPort端口
- HDMI端口
- DVI