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SE3V3UBN102
3.3V 4.5A@8/20us
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- 描述
- 特性：保护一个I/O或电源线。 超低电容：0.35pF。 工作电压：3.3V。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电±20kV，接触放电±20kV。 IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。应用：笔记本电脑。 手机
- 品牌名称
- SSGSEMI(世晶半导体)
- 商品型号
- SE3V3UBN102
- 商品编号
- C49206805
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01156克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 22V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4.5A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 110W@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压(VBR) | 7V | |
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| Cj-结电容 | 0.35pF |
商品特性
- 保护一条I/O或电源线
- 超低电容：0.35pF
- 工作电压：3.3 V
- 低漏电流
- DFN1006-2L
应用领域
- 笔记本电脑
- 蜂窝电话
- 数码相机
- 个人数字助理