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SE3V3FBDN062
3.3V 7A@8/20us
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- 描述
- 特性：110W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型 DFN0603 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 便携式电子设备
- 品牌名称
- SSGSEMI(世晶半导体)
- 商品型号
- SE3V3FBDN062
- 商品编号
- C49206791
- 商品封装
- DFN0603-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 10V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 7A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 110W@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 5V | |
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| Cj-结电容 | 12pF |
优惠活动
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