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SHYG011N04LS1C2
40V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- N沟道高性能低结电容，40V 170A 1.1mΩ@10V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SHYG011N04LS1C2
- 商品编号
- C49206915
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1844克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 87nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.85nF |
商品概述
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 湿气敏感度等级1级
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无卤
商品特性
- 100%进行EAS测试
- 100%进行∇Vds测试
应用领域
- 功率开关应用
- 不间断电源
- DC-DC转换器