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SBSC019N04NSGATMA1
40V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- N沟道高性能低结电容，40V 200A 1.1mΩ@10V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SBSC019N04NSGATMA1
- 商品编号
- C49206921
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1869克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@4.5V；1.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 87nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.85nF |
商品概述
110N20采用先进的工艺技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- PWM电机控制-DC-DC转换器