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SNCE3080K
30V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：60W JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.4mΩ@20A,10V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SNCE3080K
- 商品编号
- C49206910
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48496克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V；6.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.34nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 129pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 187pF |
商品概述
SNCE3080K是采用高单元密度先进沟槽技术生产的N沟道增强型功率效应晶体管。高密度工艺尤其能够将导通电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用电源管理DC-DC转换器。
商品特性
- RDS(ON) = 6mΩ(最大值)@VGS = 10V
- RDS(ON) = 9mΩ(最大值)@VGS = 4.5V
- 针对极低RDS(ON)的超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- TO252封装设计
- 100%进行UIS测试
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 电源管理
- DC/DC转换器
- 负载开关