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SHY19P03D
30V P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 4.8MR 90A
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SHY19P03D
- 商品编号
- C49206898
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.458116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.886nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 440pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 640pF |
商品概述
SHY19P03D是采用高单元密度先进沟槽技术生产的P沟道增强型功率效应晶体管。这种高密度工艺尤其能够将导通电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用电源管理DC-DC转换器。
商品特性
- RDS(ON) = 5.0mΩ(典型值)@VGS = -10V
- RDS(ON) = 6.0mΩ(典型值)@VGS = -4.5V
- 为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- TO252封装设计
- 100%进行UIS测试
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 电源管理
- DC/DC转换器
- 负载开关
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