- 引脚图
- 焊盘图
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VSP007N04MS-G
N沟道 40V 80A
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- 品牌名称
- Vergiga(威兆)
- 商品型号
- VSP007N04MS-G
- 商品编号
- C49169039
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.209709克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.65V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 465pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS S系列针对开关特性进行了优化，以满足严格的电磁干扰（EMI）标准。对于小型电源系统而言，它易于使用，可同时满足效率和EMI标准。
商品特性
- 增强型
- 极低导通电阻RDS(ON)
- VitoMOS II 技术
- 100%雪崩测试
- PDFN5x6
- 无铅
- 无卤素
应用领域
-LED照明-充电器-适配器-电信电源-服务器电源-太阳能/不间断电源(UPS)