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IRF9530NS-MNS
P沟道 -20A -100V
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- 描述
- 数量:1个P沟道 漏源电压:100V 连续漏极电流:20A 导通电阻:80mΩ@10V,10A 描述：这是一款P沟道MOSFET，适用于电源管理，电机控制，逆变器等领域
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IRF9530NS-MNS
- 商品编号
- C49108781
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.976克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V；80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 81pF |
商品概述
IRFR2405TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 50A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 15 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源