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IRFR540ZTRPBF-MNS
N沟道 30A 100V
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- 描述
- 数量:1个N沟道 漏源电压:100V 连续漏极电流:30A 导通电阻:25mΩ@10V,12A 描述：适用于高电压大电流的电机驱动，逆变器，开关电源等领域
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IRFR540ZTRPBF-MNS
- 商品编号
- C49108794
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
AOD413A(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 AOD413A(ES) 为无铅产品。
商品特性
- 在VGS = 10 V时,VDS = 100 V,ID = 30 A,RDS(ON) < 30 m Ω
- 高密度单元设计,降低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高单脉冲雪崩能量,稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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