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MD70N30
N沟道 70A 300V
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- 描述
- 数量:1个N沟道 漏源电压:300V 连续漏极电流:70A 导通电阻:32mΩ@10V,29.5A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MD70N30
- 商品编号
- C49108788
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.141778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 430W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 155nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 895pF |
商品概述
MD70N30是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 300V，漏极电流（ID） = 70A，栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 41mΩ
- 快速开关
- 低反向传输电容（Crss）
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 高频开关模式电源