MPF9N90
N沟道 9A 900V
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- 描述
- 数量:1个N沟道 漏源电压:900V 连续漏极电流:9A 导通电阻:0.97Ω@10V,4.5A 描述:这是一款N沟道的超高压MOS,适用于工业开关电源,电源适配器、LED驱动等领域
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPF9N90
- 商品编号
- C49108792
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8691克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 970mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.51nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品概述
MPF9N90采用先进的技术和设计,可提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 900 V,R\text dson < 1.15 m Ω(在 VGS = 10 V、ID = 9 A 条件下,典型值为 0.97 Ω)
- 低导通电阻
- 低反向传输电容
- 100% 单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 功率开关应用
- 适配器和充电器
- IRFR540ZTRPBF-MNS
- MDT15P10D
- FGH40N60SMD
- OK-512A
- ATGM336H-F8N22
- HY28A3039-0A2
- HC-PBB12NB(3.0)-20DS-0.5V-P-03
- HC-PBB12NB(3.0)-20DP-0.5V-P-03
- HC-PBB12NB(3.5)-40DP-0.5V-03
- HC-PBB12NB(3.0)-50DS-0.5V-P-03
- HC-PBB12NC(3.0)-80DP-0.5V-P-03
- HC-PBB12NB(3.0)-40DS-0.5V-P-03
- HC-PBB12NB(3.0)-40DP-0.5V-P-03
- HC-PBB12NB(3.0)-30DP-0.5V-P-03
- PM127-2-09-S-3.4-G0-R
- PZ127-2-09-S-2.0-G1-R
- HC-PBB12NB(5.0)-50DP-0.5V-P-03
- HC-PBB12NB-50DS-0.5V-P-03
- KF2EDGKM-3.81-18P
- HC-RJ45-059C-2*4-1-2T
- HX1188NLT
