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MPF9N90
N沟道 9A 900V
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- 描述
- 数量:1个N沟道 漏源电压:900V 连续漏极电流:9A 导通电阻:0.97Ω@10V,4.5A 描述：这是一款N沟道的超高压MOS，适用于工业开关电源，电源适配器、LED驱动等领域
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPF9N90
- 商品编号
- C49108792
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8691克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 970mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.51nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品概述
IRFR5410TRPBF(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 IRFR5410TRPBF(ES) 为无铅产品。
商品特性
- VDS = 900 V,R\text dson < 1.15 m Ω(在 VGS = 10 V、ID = 9 A 条件下,典型值为 0.97 Ω)
- 低导通电阻
- 低反向传输电容
- 100% 单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 功率开关应用
- 适配器和充电器
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