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MPT052N08P
N沟道 120A 85V
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- 描述
- 数量:1个N沟道 漏源电压:85V 连续漏极电流:120A 导通电阻:4.6mΩ@10V,50A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPT052N08P
- 商品编号
- C49108786
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8544克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 173.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.021nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 637pF |
商品概述
NTMFS5C628NLT1G(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 NTMFS5C628NLT1G(ES) 为无铅产品。
商品特性
- 60V，栅源电压（VGS） = 10V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 1.9mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 4.5V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 2.6mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC 转换