BSC070N10NS5(ES)
N沟道,100V,83A,7.1mΩ@10V,30A,3.0V@250μA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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- 描述
- N沟道,100V,83A,7.1mΩ@10V,30A,3.0V@250μA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- BSC070N10NS5(ES)
- 商品编号
- C49108749
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 92A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.357nF |
商品概述
N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计,在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品无铅。
商品特性
- 100V,VGS = 10 V时,RDS(ON) = 6.5 mΩ(典型值)
- 高密度单元设计,实现低RDS(on)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换
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