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IPB042N10N3G(ES)
N沟道，85V，120A，3.1mΩ@10V,50A，2.2V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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- 描述
- N沟道，85V，120A，3.1mΩ@10V,50A，2.2V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- IPB042N10N3G(ES)
- 商品编号
- C49108761
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.7825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 179W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.862nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.002nF |
商品概述
IPB042N10N3G(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品IPB042N10N3G(ES)为无铅产品。
商品特性
- 85V,RDS(ON) = 3.1 m Ω(典型值)@ VGS = 10 V
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 具有雪崩额定值
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换