温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTR4101PT1G(ES)
P沟道，-20V，-3.8A，36mΩ@-4.5V,-3.8A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- P沟道，-20V，-3.8A，36mΩ@-4.5V,-3.8A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- NTR4101PT1G(ES)
- 商品编号
- C49108757
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 430pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
NTR4101PT1G(ES)是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路。标准产品NTR4101PT1G(ES)为无铅产品。
商品特性
- -20V,VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 36 mΩ(典型值)
- VGS = -2.5 V时,RDS(ON) = 50 mΩ(典型值)
- VGS = -1.8 V时,RDS(ON) = 72 mΩ(典型值)
- 快速开关
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换