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NTMFS5C628NLT1G(ES)
N沟道，60V，190A，1.9mΩ@10V,30A，1.6V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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- 描述
- N沟道，60V，190A，1.9mΩ@10V,30A，1.6V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- NTMFS5C628NLT1G(ES)
- 商品编号
- C49108756
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V；2.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.2nF |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(ON)） 高速开关
商品特性
- 60V,RDS(ON) = 1.9 m Ω(典型值),VGS = 10 V
- RDS(ON) = 2.6 m Ω(典型值),VGS = 4.5 V
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC转换