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DOZ70N04T
采用先进SGT技术的N沟道MOSFET
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- 描述
- SGT工艺/N管/40V/70A/4mΩ/(典型值3mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ70N04T
- 商品编号
- C48934545
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.097625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.824nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 525.6pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 40 V,漏极电流(ID) = 70 A,在栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 4 mΩ(典型值:3 mΩ)
- 低栅极电荷。
- 提供环保器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻(RDS(ON))。
- 封装散热性能良好。