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DOZ20DN06T
采用先进SGT技术的双N沟道MOSFET
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- 描述
- SGT工艺/N+N管/60V/22A/20mΩ(典型值15.6mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ20DN06T
- 商品编号
- C48934547
- 商品封装
- DFN-8D(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.096806克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 16.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 470pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60 V,漏极电流(ID) = 22 A,当栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 20 mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能良好