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DO06N30AA
N沟道 耐压:300V 电流:0.6A
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- 描述
- N管/300V/0.6A/3.1Ω(典型值2.6Ω)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO06N30AA
- 商品编号
- C48934561
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.040033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 130pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的平面技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 300 V,漏极电流ID = 0.6 A,当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 3.1 Ω
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的出色封装。
应用领域
- 负载开关
- DC/DC电源系统
- 负载点高频同步