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DO4604A
N+P沟道MOSFET
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- 描述
- N+P管/20V/7A/20mΩ(典型值15mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4604A
- 商品编号
- C48934563
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043367克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON),适用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道:VDS = 20 V,ID = 7 A,VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) < 20 m Ω(典型值:15 m Ω)
- P沟道:VDS = -20 V,ID = -6 A,VGS = -4.5 V 时,RDS(ON) < 28 m Ω(典型值:22 m Ω)
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 出色的封装,具备良好的散热性能。
- 湿度敏感度等级3(MSL3)