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DO4606A
N+P沟道MOSFET
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- 描述
- N+P管/30V/5A/25mΩ(典型值20mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4606A
- 商品编号
- C48934564
- 商品封装
- SOT-23-6D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0405克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.51W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道:VDS = 30 V,ID = 5 A,RDS(ON) < 25 m Ω(VGS = 10 V 时,典型值为 20 m Ω)
- P沟道:VDS = -30 V,ID = -4 A,RDS(ON) < 65 m Ω(VGS = -10 V 时,典型值为 50 m Ω)
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 封装散热性能出色。
- 湿度敏感度等级3(MSL3)