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DOU45P04
采用先进沟槽技术、具有低栅极电荷的P沟道MOSFET
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- 描述
- P管/-40V/-45A/12mΩ(典型值10mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOU45P04
- 商品编号
- C48934565
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.766667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.897nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下,可实现出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -40 V, ID = -45 A, RDS(ON) < 12 m Ω (典型值:10 m Ω ),栅源电压 VGS = -10 V
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 先进的高单元密度沟槽技术,可实现超低的RDS(ON)。
- 出色的封装,具备良好的散热性能。
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