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DON603
N+P沟道MOSFET
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- 描述
- N+P管/60V/16A/36mΩ(典型值26mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON603
- 商品编号
- C48934553
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176213克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF；52pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON)。它可用于多种应用。
商品特性
- N沟道:VDS = 60 V,ID = 16 A,在 VGS = 10 V 时,RDS(ON) < 36 m Ω
- P沟道:VDS = -60 V,ID = -18 A,在 VGS = -10 V 时,RDS(ON) < 90 m Ω
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 封装优良,散热性好。