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ISP16DP10LMXTSA1-VB
P沟道；电压：-100V；电流：-3A；导通电阻：200(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT223；P—Channel沟道；-100V；-3A；RDS(ON)=200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ISP16DP10LMXTSA1-VB
- 商品编号
- C47993790
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@6V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 819pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |
商品特性
- 175°C结温
- SGT技术功率MOSFET
- N沟道MOSFET
- 符合RoHS标准
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