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IPF024N10NF2SATMA1-VB
N沟道；电压：100V；电流：250A；导通电阻：1.2(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO263-7L；N—Channel沟道；100V；250A；RDS(ON)=1.2(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用SGT技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPF024N10NF2SATMA1-VB
- 商品编号
- C47993811
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 246pF |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 电源开关
- 大电流应用中的负载开关
- DC/DC 转换器
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